Teknoloji devi Samsung, yeni nesil 1d DRAM belleklerinin üretimi için stratejik hazırlık sürecini başlattığını duyurdu. Şirket, üretim ortaklarıyla eş güdümlü bir şekilde yeni nesil ekipmanların tedariki ve kurulumu üzerine çalışmalarını sürdürüyor.
Yeni üretim bantlarının en erken 2027 yılının 2. çeyreğinde fabrikalara kurulması hedefleniyor. Planlanan takvime sadık kalınması durumunda seri üretim aşamasına geçilmesi bekleniyor. Samsung'un bu iddialı süreci netleştirmek adına 2026 sonuna kadar yoğun bir çalışma dönemi geçireceği öngörülüyor.
Dikey Mimari ile Performans Artışı
Mevcut 1c RAM mimarisinde bellek yongaları yatay bir düzende yer alırken, yeni 1d DRAM teknolojisinde yongaların dikey olarak üst üste dizilmesi planlanıyor. Bu mimari değişim sayesinde, kısıtlı alanlarda daha yüksek işlem gücü ve yoğunluk sağlanması amaçlanıyor. Üretim metodolojisinde de değişikliğe gidilerek, çipin farklı bileşenlerinin silikon plakalar üzerinde ayrı ayrı hazırlanması öngörülüyor.
Yapay Zeka ve HBM Teknolojisindeki Rolü
Küresel yarı iletken pazarında bellek teknolojileri, özellikle yapay zeka sistemlerinin gelişimiyle kritik bir konuma yerleşti. Yapay zeka donanımları, yüksek bant genişliği sunan HBM tipi özel belleklere ihtiyaç duyuyor. Samsung, mevcut HBM4 serisinde kendi üretimi olan 1c DRAM teknolojisini kullanırken, sektör uzmanları 1d DRAM yapısının gelecekteki HBM5E çiplerinin temelini oluşturacağını belirtiyor.
